王阳元文集(第二辑)

图书分类

经管社科
经济管理社科历史军事
哲学/宗教法律政治

文学艺术文化
文学艺术文化古籍/国学

科技
计算机自然科学医学卫生
工业技术建筑/水利农业

生活
旅游地理娱乐/时尚
 生活体育保健婚恋/育儿
 励志/自我实现

教育外语
外语考试中小学教辅

其他
音像综合未分类

>>全部分类

王阳元文集(第二辑)

作者：

译者：
开本：
ISBN：703016340

出版社：

出版日期：
装帧：
原价： 99 元

普通：92.57元 一星：89.79元 二星：87.94元 三星：86.09元

王阳元文集(第二辑) 内容简介

本书汇集了王阳元院士在1998年到2004年期间发表的重要论文和论述，内容涉及微电子学科的发展战略研究、发展前沿综述、学术论文、科学研究方法论、产业建设和人才培养等多个方面。在此期间里，他与合作者以及研究生共同发表了70余篇学术论文。本书从中精选了发表在国内外重要学术刊物上的有关SOI/CMOS器件与电路、超深亚微米器件研究、MEMS研究和电路研究等方面的36篇有代表性的学术论文。这些论文和论述在国内外微电子领域的学术界、教育界和工业界产生了深刻影响，推动了我国微电子科学技术和产业的发展，反映了王阳元院士作为一位“仁智双馨”的战略科学家的风貌。
本书可作为高等学校信息技术及微电子专业师生的参考书，也可供相关领域的技术人员、科研人员及科技管理人员学习参考。

王阳元文集(第二辑) 目录

编辑出版说明
序一
序二我国微电子领域的战略科学家——记我们心目中的王老师
战略研究
■微电子科学技术和集成电路产业3
■历史机遇与我国微电子发展之路46
■2020年，把我国建成微电子强国58
■不到长城非好汉61
■今日长缨在手，何时缚住苍龙77
■建设产前技术研发联盟，自主创新、增强核心竞争力86
■附录：知识产权是微电子产业建设的关键94
发展前沿综述
■21世纪的硅微电子学99
■日新月异的微电子技术106
■Technology Innovation and Talent Cultivation（技术创新与人才培养）112
■面向产业需求的21世纪微电子技术的发展121
■硅集成电路光刻技术的发展与挑战142
■超深亚微米集成电路中的互连问题165
■微电子芯片技术发展对材料的需求185
■微机电系统204
学术论文
第一部分SOI/CMOS器件与电路研究
■A HighPerformance SOI Drivein Gate Controlled Hybrid Transistor（一个高性能SOI退火推进型栅控混合晶体管）213
■Comprehensive Analysis of The Short Channel Effect in The SOI Gate Controlled Hybrid Transistor （SOI栅控混合晶体管短沟效应的全面分析）220
■The Behavior of NarrowWidth SOI MOSFET’s with MESA Isolation（采用MESA隔离的窄宽度SOI MOSFET器件的特性）235
■采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究248
■Hot Carrier Induced Degradation in MesaIsolated nChannel SOI MOSFETs Operating in a BiMOS Mode（工作在Bi-MOS模式下MESA隔离的n沟SOI MOSFET的热载流子导致的退化）253
■全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型263
■一个适用于模拟电路的深亚微米 SOI MOSFET器件模型269
■适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析276
■一个解析的适用于短沟SOI MOSFETs 的高频噪声模型284
■A TwoDimensional PhysicallyBased Current Model for Deep Submicrometer SOI Dynamic ThresholdVoltage MOSFET（用于深亚微米SOI动态阈值电压MOSFET的一个基于物理机制的二维电流模型）292
■A Novel Idea: Using DTMOS to Suppress FIBL Effect in MOSFET with Highk Gate Dielectrics（一个新的用DTMOS抑制MOSFET的FIBL效应的方法）306
■Distortion Behavior for SOI MOSFET（SOI MOSFET的失真行为）315
■Design Guideline of an UltraThin Body SOI MOSFET for LowPower andHighPerformance Applications（高速低功耗超薄体SOI MOSFET的设计方法）320
第二部分超深亚微米器件研究——模型，TCAD，HighK
■Effect of Grain Boundary on Minority Carrier Injection into Polysilicon Emitter(晶粒边界对少数载流子注入多晶硅发射极的影响)327
■The Influence of Tunneling Effect and Inversion Layer Quantization Effect on Threshold Voltage of Deep Submicron MOSFET(隧穿效应和反型层量子化效应对深亚微米MOSFET的影响)338
■Computer Simulation on Low Energy Ion Implantation Based on MolecularDynamics Methods（基于分子动力学方法的低能离子注入的计算机模拟）347
■3～6nm 超薄SiO2栅介质的特性357
■Threshold Voltage Model for MOSFETs with HighK Gate Dielectrics(高K栅介质MOSFETs的阈值电压模型)362
■Interfacial and Structural Characteristics of CeO2 Films on Silicon with a Nitrided Interface Formed by NitrogenIonBeam Bombardment(采用氮离子来轰击形成的硅上CeO2的氮化物界面层的表面和结构特征)368
■Influences of H+2 and He+ Coimplantation into Silicon on Electric Characteristics of MOSFETs（氢氦联合注入硅对MOSFET电性能的影响）378
■Atomistic Simulation of Defects Evolution in Silicon During Annealing After Low Energy SelfIon Implantation(原子模型模拟硅离子注入硅衬底的退火过程中的缺陷演化)386
■Highly Scaled CMOS Device Technologies with New Structures and New Materials(采用新结构和新材料高度等比例缩小CMOS器件技术)396
第三部分微机电系统（MEMS）研究
■SiliconGlass Wafer Bonding with Silicon Hydrophilic Fusion Bonding Technology(采用硅亲水熔融键合技术实现硅/玻璃键合)418
■A Bulk Micromachined Vibratory Lateral Gyroscope Fabricated with Wafer Bonding and Deep Trench Etching(利用圆片键合和深刻蚀技术制造的体硅横向振动陀螺)424
■An Improved TMAH SiEtching Solution Without Attacking Exposed Aluminum(一种不腐蚀Al的TMAH硅腐蚀液)433
■A Small Equipment of Q study of Microgyroscope(陀螺品质因子小型测试系统)445
■An Experimental Study on HighTemperature Metallization for MicroHotplateBased Integrated Gas Sensors(基于微热板的集成化学传感器高温金属化实验研究)451
■硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究466
■Fabrication of KeyholeFree UltraDeep HighAspectRatio Isolation Trench and Its Applications(无空洞超深高深宽比隔离槽制造技术及应用)483
■Simulation of The Bosch Process with a StringCell Hybrid Method(采用线单元混合模型进行BOSCH仿真)497
■Integrated BulkMicromachined Gyroscope Using Deep Trench Isolation Technology(采用深槽刻蚀技术的集成体硅陀螺)513
第四部分 RF与电路研究
■Numerical Calculation of Electromigration Under Pulse Current with Joule Heating(考虑焦耳热的脉冲直流下电迁移数值计算)520
■Dependence of Electromigration Caused by Different Mechanisms on Current Densities in VLSI Interconnects(VLSI互连中不同机制下电迁移特性与电流密度的关系)535
■多晶硅发射极超高速集成电路工艺548
■Study on a LateralElectricalField Pixel Architecture for FLC Spatial Light Modulator with Continuously Tunable Grayscales（可连续调节灰度的FLC光谱调节器的横向电场像素结构研究）557
■基于单元故障模型的树型加法器的测试566
科学研究方法论
■贵在执著，重在分析，在系统的科学研究工作中必将有所发现、有所发明579
■诺贝尔奖离我们并不遥远586
■物理学研究与微电子科学技术的发展596
产业建设
■建设8英寸0.25微米集成电路生产线项目建议书609
■论信息化与微电子产业616
■北京要建设先进的集成电路芯片制造厂633
■关于建设深圳微电子芯片制造厂的建议637
■如何把国家集成电路设计上海产业化基地做强，做大650
■关于专用设备产业建设的意见663
■在中芯国际12英寸投产典礼上的讲话667教书育人
■从美国加州伯克利大学研究生的培养看我国研究生制度的改革671
■创新与人才培养676
■在迎接2002年理科和文科新生会上的讲话687
■立大志，常为新，成大器689
■学校教育帮助我树立了一生的抱负691

王阳元文集(第二辑) 评论

>>浏览该商品的全部评论 >>我要发表评论

在500000册图书中搜索

王阳元文集(第二辑)

王阳元文集(第二辑)

王阳元文集(第二辑) 内容简介

王阳元文集(第二辑) 目录

王阳元文集(第二辑) 评论

王阳元文集(第二辑) 相关图书